Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа голубой полосы излучения в ZnSe с изовалентной примесью S

Махний В.П.¹, Слетов A.М.¹, Стец Е.В.²

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

²Национальный технический университет Украины КПИ, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована краевая люминесценция гетрослоев ZnSe, полученных изовалентным замещением на подложках ZnSe. Показано, что полоса голубого излучения обусловлена межзонной рекомбинацией и аннигиляцией экситонов при их неупругом рассеянии на свободных носителях заряда.

В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение) (М., Физматлит, 2004)
V.P. Makhiy, V.Ye. Baranyuk, M.V. Dtmich, V.V. Melnik, I.V. Mflimon, M.M. Slyotov, E.V. Stets. Proc. SPIE, 4425, 272 (2000)
М.М. Слетов. Автореф. докт. дис. (Черновцы, Черновицкий нац. ун-т им. Ю. Федьковича, 2007)
V.P. Makhiy, A.S. Gavaleshko, M.M. Slyotov, P.P. Horley, A.M. Slyotov. Abstract XIV Int. Conf. "Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems" (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2013) p. 350
В.П. Махний. Принципы и методы модуляционной спектроскопии (Черновцы, Рута, 2001) (укр.)
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
E. Koh, D.W. Langer. J. Luminesc., 1-2, 514 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель