"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы
Бакланов А.В.1,2, Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1,2,3, Егоров А.Ю.3,1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Проведен детальный анализ полученных методом адмиттанс-спектроскопии экспериментальных данных по температурной зависимости скорости эмиссии электронов с основного состояния InAs квантовых точек в слое объемного заряда барьера Шоттки на матрице n-GaAs. Эти экспериментальные результаты описываются в одномерной модели термически активированного туннелирования с участием виртуальных состояний. При этом вид потенциального барьера, который должны преодолевать эмитируемые электроны, подбирается с помощью введения эффективной концентрации мелких доноров так, чтобы величины энергии связи электронов в квантовых точках были близки к найденным из результатов измерений вольт-фарадных характеристик исследованных структур. Полученные таким образом сечения захвата электронов растут с увеличением энергии связи основного состояния (размера квантовых точек). Для InAs квантовых точек со средним латеральным размером 9 и 20 нм значения сечений захвата лежат соответственно в диапазонах 1·10-14-2· 10-13 и 4· 10-12-2· 10-11 см2.
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, 1998)
  • D. Bimberg. Semiconductor Nanostructures. Springer (2008)
  • Zhiming M. Wang. Self-Assembled Quantum Dots. Springer (2008)
  • Zhiming M. Wang. Quantum Dot Devices. Springer (2012)
  • M. Geller, E. Stock, C. Kapteyn, R.L. Selin, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 73, 205 331 (2006)
  • S. Schulz, S. Schnull, C. Heyn, W. Hansen. Phys. Rev. B, 69, 195 317 (2004)
  • P.W. Fry, J.J. Finley, L.R. Wilson, A. Lemaitre, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Hopkinson, G. Hill, J.C. Clark. Appl. Phys. Lett., 77, 4344 (2000)
  • P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, S.G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P.C. Main, L. Eaves, C.M.A. Kapteyn. J. Electron. Mater., 28, 486 (1999)
  • C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60, 14 265 (1995)
  • А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.Г. Конников. ФТП, 42, 1122 (2008)
  • C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P. Brunkov, V.B. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 76, 1573 (2000)
  • W.-H. Chang, W.Y. Chen, M.C. Cheng, C.Y. lai, T.M. Hsu,, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 64, 125 315 (2001)
  • W.-H. Chang, W.Y. Chen, T.M. Hsu, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 66, 195 337 (2002)
  • D.L. Losee, J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
  • Graig Prior. Phys. Rev. B, 57, 7160 (1998)
  • M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
  • O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59, 5888 (1999)
  • Qiuji Zhao, Ting Mei. J. Appl. Phys., 109, 063 101 (2011)
  • P.N. Brunkov, E.V. Monakhov, A.Yu. Kuznetsov, A.A. Gutkin, A.V. Bobyl, Yu.G. Musikhin, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Physics of Semiconductors: 27th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, eds J. Menendez, C.G. Van de Walle (American Inst. оf Physics, 2005) p. 789
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.