"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы
Бакланов А.В.1,2, Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1,2,3, Егоров А.Ю.3,1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Проведен детальный анализ полученных методом адмиттанс-спектроскопии экспериментальных данных по температурной зависимости скорости эмиссии электронов с основного состояния InAs квантовых точек в слое объемного заряда барьера Шоттки на матрице n-GaAs. Эти экспериментальные результаты описываются в одномерной модели термически активированного туннелирования с участием виртуальных состояний. При этом вид потенциального барьера, который должны преодолевать эмитируемые электроны, подбирается с помощью введения эффективной концентрации мелких доноров так, чтобы величины энергии связи электронов в квантовых точках были близки к найденным из результатов измерений вольт-фарадных характеристик исследованных структур. Полученные таким образом сечения захвата электронов растут с увеличением энергии связи основного состояния (размера квантовых точек). Для InAs квантовых точек со средним латеральным размером 9 и 20 нм значения сечений захвата лежат соответственно в диапазонах 1·10-14-2· 10-13 и 4· 10-12-2· 10-11 см2.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, 1998)
  2. D. Bimberg. Semiconductor Nanostructures. Springer (2008)
  3. Zhiming M. Wang. Self-Assembled Quantum Dots. Springer (2008)
  4. Zhiming M. Wang. Quantum Dot Devices. Springer (2012)
  5. M. Geller, E. Stock, C. Kapteyn, R.L. Selin, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 73, 205 331 (2006)
  6. S. Schulz, S. Schnull, C. Heyn, W. Hansen. Phys. Rev. B, 69, 195 317 (2004)
  7. P.W. Fry, J.J. Finley, L.R. Wilson, A. Lemaitre, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Hopkinson, G. Hill, J.C. Clark. Appl. Phys. Lett., 77, 4344 (2000)
  8. P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, S.G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P.C. Main, L. Eaves, C.M.A. Kapteyn. J. Electron. Mater., 28, 486 (1999)
  9. C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60, 14 265 (1995)
  10. А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.Г. Конников. ФТП, 42, 1122 (2008)
  11. C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P. Brunkov, V.B. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 76, 1573 (2000)
  12. W.-H. Chang, W.Y. Chen, M.C. Cheng, C.Y. lai, T.M. Hsu,, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 64, 125 315 (2001)
  13. W.-H. Chang, W.Y. Chen, T.M. Hsu, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 66, 195 337 (2002)
  14. D.L. Losee, J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
  15. Graig Prior. Phys. Rev. B, 57, 7160 (1998)
  16. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
  17. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59, 5888 (1999)
  18. Qiuji Zhao, Ting Mei. J. Appl. Phys., 109, 063 101 (2011)
  19. P.N. Brunkov, E.V. Monakhov, A.Yu. Kuznetsov, A.A. Gutkin, A.V. Bobyl, Yu.G. Musikhin, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Physics of Semiconductors: 27th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, eds J. Menendez, C.G. Van de Walle (American Inst. оf Physics, 2005) p. 789

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.