"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика электронных процессов в gamma-облученных (60Co) монокристаллах n-Ge
Гайдар Г.П.1
1Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследованы изменения основных электрофизических параметров под влиянием gamma-облучения (60Co) в монокристаллах n-Ge с разным уровнем легирования. В определенном концентрационном интервале легирующей примеси обнаружено заметное повышение подвижности носителей заряда в облученных образцах и предложено объяснение природы полученного эффекта. Показано, что изменения подвижности электронов под влиянием gamma-облучения, которые возникают в исходных кристаллах n-Ge с примесью кислорода и в кристаллах, подвергнутых отжигу, противоположны по знаку. Установлена решающая роль кислородных комплексов, которые образуются в процессе термообработки в образцах, и локальных механических напряжений решетки в окрестности таких комплексов в появлении эффекта радиационно-стимулированного повышения подвижности. Выяснено, что радиационная стойкость подвижности электронов существенным образом зависит от кристаллографической ориентации исследуемых образцов.
  1. A.C. Beer. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors (N.Y.--London, Academinc Press Inc., 1963)
  2. C.S. Fuller, W. Kaiser, C.D. Thurmond. J. Phys. Chem. Sol., 17 (3--4), 301 (1961)
  3. П.I. Баранський, В.В. Гайдученко, В.О. Шершель. УФЖ, 15 (7), 1192 (1970)
  4. V.M. Babich, P.I. Baranskii, V.A. Shershel. Phys. Status. Solidi, 42 (1), K23 (1970)
  5. Е.Н. Видалко, Г.П. Гайдар, В.А. Гирий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (4), 533 (1986)
  6. В.В. Емцев, М.И. Клингер, Т.В. Машовец. Письма ЖЭТФ, 19 (9), 575 (1974)
  7. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашов. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  8. А.А. Гроза, П.Г. Литовченко, М.И. Старчик. Эффекты радиации в инфракрасном поглощении и структуре кремния (Киев, Наук. думка, 2006) (на укр.)
  9. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  10. П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.