"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О глубоком донорном уровне в n-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении
Даунов М.И.1, Залибеков У.З.1, Камилов И.К.1, Моллаев А.Ю.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Приведены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических зависимостях электросопротивления и коэффициента Холла при всесторонних давлениях от атмосферного до 18 ГПа в n-GaAs. В интервале давлений 10≤ P≤ 18 ГПа обнаружен глубокий донорный центр. Обсуждаются положение его уровня энергии относительно края Gamma-долины зоны проводимости при атмосферном давлении и его принадлежность вакансии мышьяка.
  • М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), 58 (2001)
  • M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov, S.F. Gabibov. Phys. Status Solidi B, 235 (2), 297 (2003)
  • М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46 (10), 1766 (2004)
  • И.К. Камилов, С.Ф. Габибов, М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев. ФТП, 45 (12), 1604 (2011)
  • W. Paul. Proc. 9th Int. Conf. Semicond (Moscow, 1968) v. 1, p. 51
  • V.A. Telejkin, K.B. Tolpigo. Semiconductors, 16, 1337, (1982)
  • In-Hwan Chor, Y.Yu. Peter. Phys. Statis Solidi B, 211, 143 (1999)
  • J.Z. Jiang, J. Staun Olsen, L. Gerward, S. Steenstrup. High Pressure Res., 22, 395 (2002)
  • G.D. Pitt, J. Lees. Phys. Rev. B, 2 (10), 4144 (1970)
  • О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV группы (М., Мир, 1967)
  • В.Д. Прочухан. Матер. VI Зимней школы по физике полупроводников (Л., 1974)
  • В.Н. Брудный Изв. вузов, 39 (8), 84 (1986)
  • G.M. Martin, S. Makram-Ebeid. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon \& Breach, 1986) p. 399
  • M. Baumler, U. Kaufmann, J. Windscheif. Appl. Phys. Lett., 46, 581 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.