Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS

Боброва Е.А.¹, Клевков Ю.В.¹, Медведев С.А.¹, Плотников А.Ф.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Определен набор глубоких электронных состояний в текстурированном поликристалле p-CdTe состава, близкого к стехиометрическому, методом емкостной спектроскопии (DLTS). Наблюдались четыре дырочные и две электронные ловушки. Показано, что наиболее глубокая дырочная ловушка с уровнем E_v+0.86 эВ является преобладающим дефектом в данном материале. Особенности формы линии в спектре DLTS и логарифмическая зависимость заселенности этого уровня от длительности заполняющего импульса соответствуют протяженному дефекту, обусловленному, наиболее вероятно, дислокациями на границах зерен.

R. Rudolph, S. Kawasaki, S. Yamashita, S. Yamamoto, Y. Usuki, Y. Konagava, S. Matada, T. Fukuda. J. Cryst. Growth, 161, 28 (1996)
F. Gelsdorf, W. Schroter. Phil. Mag. A, 49, L35 (1984)
W. Schroter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, M. Seibt. Phys. Rev. B, 52, 13 726 (1995)
P. Chattupadhyay. Sol. St. Electron., 36, 1641 (1993)
A.K. Datta, K. Ghosh, N.K.D. Chowdyury, A.N. Daw. Sol. St. Electron., 23, 905 (1980)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
J.-P. Haring, J.G. Werthen, R.H. Bube. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1469 (1983)
В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
E.H. Rhoderick. IEE Proc., 129, Pt 1, 1 (1982)
M.A. Green, F.D. King, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 551 (1974)
M. Samimi, B. Biglari, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Nucl. Instr. Meth. A, 283, 243 (1989)
S.G. Elkomoss, M. Samimi, M. Hage-Ali, P. Siffert. J. Appl. Phys., 57, 5313 (1985)
H. Sitter, D. Humenberger, A. Lopez-Otero. J. Cryst. Growth, 59, 229 (1982)
G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 8619 (1991)
G. Zoth, W. Schroter. Phil. Mag. B, 58, 623 (1988)
I.A. Hummelgen, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 62, 2703 (1993)
R.T. Collins, T.C. McGill. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1633 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель