"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизмах рассеяния дырок в кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te при низких температурах
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 19 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Исследовано удельное сопротивление и эффект Холла в легированных медью кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервале температур 4.2-100 K и концентраций Cu от 1.5· 1015 до 1.7· 1018 см-3. Показано, что для корректного определения холловской подвижности дырок при низких температурах необходимо исключить вклад прыжкового переноса заряда. Найдено, что при 77 K тяжелые дырки рассеиваются друг на друге, на ионах примеси, флуктуациях состава и колебаниях решетки. При низких температурах в компенсированных кристаллах дырки рассеиваются исключительно на ионах примеси. В некомпенсированных кристаллах при расчете подвижности необходимо учитывать рассеяние дырок на положительно заряженных центрах, образованных в результате захвата избыточных дырок акцепторами.
  1. M.A. Berding, S. Krishnamurthy, A. Sher. A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3014 (1987)
  2. J.R. Mayer, F.J. Bartoli, C.A. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3035 (1987)
  3. И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1987)
  4. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводинках (М., Мир, 1986)
  5. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21, 1469 (1987)
  6. В.А. Базакуца, В.И. Белозерцева, В.В. Богобоящий и др. В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках (Павлодар, 1987) с. 148
  7. Н.Н. Берченко, В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров и др. В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках (Павлодар, 1987) с. 129
  8. V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum \& Optoelectronics, 2 (1), 62 (1999)
  9. V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
  10. А.И. Елизаров. Завод. лаб., вып. 10, 82 (1981)
  11. C.T. Elliot, I. Melngailis, T.C. Harman. J. Phys. Chem. Soc., 33 (2), 1527 (1972)
  12. N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1 (1), 1 (1968)
  13. А.В. Ведяев, А.Б. Грановский. ФТТ, 28 (8), 2310 (1986)
  14. H. Bottger, V.V. Bryksin. Phys. St. Sol. (b), 113 (1), 9 (1982)
  15. Ф. Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах (Л., Физматгиз, 1963)
  16. И.М. Дыкман, П.М. Томчук. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  17. О. Маделунг. Теория твердого тела (М., Наука, 1980)
  18. И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11 (12), 257 (1977)
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  20. А.В. Любченко, Е.Ф. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
  21. L.S. Kim, S. Perkowicz, O.K. Wu, J.N. Schulman. Semicond. Sci. Technol., 5 (3S), S107 (1990)
  22. Ю.Х. Векилов, А.П. Русаков. ФТТ, 13 (4), 1157 (1971)
  23. V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum \& Optoelectronics, 4 (4), 442 (2001)
  24. H.R. Vydyanath. Sol. St. Sci. Technol., 128 (12), 2609 (1981)
  25. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  26. В.В. Богобоящий. ФТП, 36 (1), 29 (2002)
  27. D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52 (8), 5118 (1981)
  28. D.L. Polla, M.B. Reine, C.E.J. Jones. Appl. Phys., 52 (8), 5132 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.