Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии

Партыка Я.¹, Жуковский П.В.¹, Венгерэк П.¹, Родзик А.¹, Сидоренко Ю.В.², Шостак Ю.А.²

¹Люблинский технический университет, Люблин, Польша Lublin University of Technology, Lublin, Poland

²Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 28 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы температурные зависимости положения максимума и полуширины полосы поглощения нейтральными дивакансиями в кремнии, облученном нейтронами дозой 10¹⁹ cм^-2. Полученные результаты анализируются на основании представлений о зоне дефектных уровней, ширина которой зависит от степени компенсации и температуры.

Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. Maczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. St. Sol. (a), 128, K117 (1991)
П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, Д. Мончка, А. Родзик, К. Кищак, В.Ф. Стельмах. ДАН Беларуси, 37, N 1б, 41 (1993)
P. Zukowski, J. Partyka, P. W egierek, M. Kozak. Nukleonika, 44, 281 (1999)
P. Zukowski, J. Partyka, P. W egierek. Phys. St. Sol. (a), 159, 509 (1997)
L. Cheng, I. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968)
П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак. ФТП, 31, 714 (1997)
S. Kirkpatrick. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors (Garmisch-Partenkirchen) 1973, ed. by J. Stuke, W. Brenig (Taylor\&Frances, London, 1974) p. 183
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60, 867 (1971)
М.А. Мессерер, Э.М. Омельяновский, А.Н. Пантюхов, Л.Я. Первова, Ю.Я. Ткач, В.И. Фистуль. ФТП, 8, 2279 (1974)
R.S. Newman, D.M.J. Totterdell. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 8, 3944 (1975)
П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, В.Ф. Стельмах, Н.Н. Тадеуш, Г. Шилагарди. ФТП, 24, 1473 (1990)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice--Hall, USA, 1971)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники (М., Высш. шк., 1986)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель