"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии
Партыка Я.1, Жуковский П.В.1, Венгерэк П.1, Родзик А.1, Сидоренко Ю.В.2, Шостак Ю.А.2
1Люблинский технический университет, 20-618 Люблин, Польша
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 28 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Исследованы температурные зависимости положения максимума и полуширины полосы поглощения нейтральными дивакансиями в кремнии, облученном нейтронами дозой 1019-2. Полученные результаты анализируются на основании представлений о зоне дефектных уровней, ширина которой зависит от степени компенсации и температуры.
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. Maczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. St. Sol. (a), 128, K117 (1991)
  • П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, Д. Мончка, А. Родзик, К. Кищак, В.Ф. Стельмах. ДАН Беларуси, 37, N 1б, 41 (1993)
  • P. Zukowski, J. Partyka, P. W egierek, M. Kozak. Nukleonika, 44, 281 (1999)
  • P. Zukowski, J. Partyka, P. W egierek. Phys. St. Sol. (a), 159, 509 (1997)
  • L. Cheng, I. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968)
  • П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак. ФТП, 31, 714 (1997)
  • S. Kirkpatrick. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors (Garmisch-Partenkirchen) 1973, ed. by J. Stuke, W. Brenig (Taylor\&Frances, London, 1974) p. 183
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60, 867 (1971)
  • М.А. Мессерер, Э.М. Омельяновский, А.Н. Пантюхов, Л.Я. Первова, Ю.Я. Ткач, В.И. Фистуль. ФТП, 8, 2279 (1974)
  • R.S. Newman, D.M.J. Totterdell. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 8, 3944 (1975)
  • П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, В.Ф. Стельмах, Н.Н. Тадеуш, Г. Шилагарди. ФТП, 24, 1473 (1990)
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  • J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice--Hall, USA, 1971)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  • В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники (М., Высш. шк., 1986)
  • Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.