"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs1-xSbx в методе жидкофазной эпитаксии
Бирюлин Ю.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs1-xSbx. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.
  • Ю.Ф. Бирюлин, Р.Р. Ичкитидзе, В.К. Кригель, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 13 (6), 1235 (1979)
  • А.Н. Несмеянов, Р.А. Соколик. Методы элементоорганической химии ( бор, алюминий, галлий, индий, таллий) (М., Наука, 1964)
  • J.R. Arther. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
  • J. Ohsawa, K. Ikeda, K. Takahashi, W. Susaki. Jap. J. Appl. Phys., 21 (1), L49 (1982)
  • А.А. Шебзухов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 8, 13 (1983)
  • Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, О.Ф. Лепехин. Письма ЖТФ, 20 (16), 29 (1994)
  • Л.Н. Курбатов. Прикл. физика, N 3, 5 (1999)
  • С.В. Новиков, И.Г. Савельев, М. Панек, Р. Пашкович, М. Тлачала, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 19 (14), 70 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.