В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок из молекул C₆₀ и их трансформация на поверхности (100) Si в интервале температур 300-1400 K. Показано, что молекулы C₆₀ сохраняют свою природу в адсорбированном состоянии вплоть до 700 K, при больших температурах происходит их постепенный распад, при ~1300 K высвободившиеся атомы углерода полностью "забывают" о своем происхождении и образуют карбид кремния, растущий в глубь образца. При комнатной температуре рост пленки фуллерита идет по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова, с образованием кристаллитов поверх монослойного покрытия. Занимаемая кристаллитами доля площади слабо зависит от времени экспозиции и составляет 50-60%.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.