Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Прохождение носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник

Кузнецов Г.В.¹

¹Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 14 января 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены основные механизмы прохождения носителей заряда в контакте металл-сверхпроводящий полупроводник. Проведены расчеты вольт-амперной характеристики контакта для токов термоэлектронной, термополевой и туннельной эмиссии. Определены зависимости условий токопрохождения от значений параметров контакта и приложенного напряжения. Показано, что переход полупроводника в сверхпроводящее состояние приводит к уменьшению тока через контакт в интервале напряжений, определяемых высотой потенциального барьера и параметром энергетической щели сверхпроводника.

Е.Л. Вольф. Принципы электронной туннельной спектроскопии (Киев, Наук. думка, 1990). [Пер. с англ.: E.L. Wolf. Principles of electron tunneling spectroscopy (N.-Y., Clarendon Press, 1985)]
J. Lesueur, L.H. Greene, W.L. Fieldmann, A. Inam. Physica C, 191, 325 (1991)
B.J. van Wees, P. de Vries, P. Magnee, T.M. Klapwijk. Phys. Rev. Lett., 69, 510 (1992)
R. Kummel, H. Plehn, U. Schussler. Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, 1996) V11.E2, p. 3387
M. Belogolovskii, M. Grajcar, P. Kus, A. Plecenik, S. Benaska, P. Seidel. Phys. Rev. B, 59, 9617 (1999)
Ф.В. Комиссинский, Г.А. Овсянников, З.Г. Иванов. ФТТ, 43, 769 (2001)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of semiconductor devices (N.-Y., Wiley, 1981)]
Г. Бейтмен, А. Эрдейн. Таблицы интегральных преобразований (М., Наука, 1969). т. 1
Г.В. Кузнецов. Письма ЖЭТФ, 74, 556 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель