Вышедшие номера
Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Воловик Б.В.1, Крыжановская Н.В.1, Сизов Д.С.1, Ковш А.Р.1,2, Цацульников А.Ф.1, Chi J.Y.2, Wang J.S.2, Wei L.2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.
Поступила в редакцию: 12 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Исследованы оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, имеющих различную концентрацию азота в слоях. Показано, что оптические свойства слоев GaAsN в исследованном диапазоне условий роста определяются рекомбинацией носителей через локализованные состояния, вызванные существенной неоднородностью распределения состава твердого раствора. Увеличение концентрации азота приводит к усилению неоднородности состава и увеличению энергии локализации носителей.