Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Воловик Б.В.1, Крыжановская Н.В.1, Сизов Д.С.1, Ковш А.Р.1,2, Цацульников А.Ф.1, Chi J.Y.2, Wang J.S.2, Wei L.2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.
Поступила в редакцию: 12 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Исследованы оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, имеющих различную концентрацию азота в слоях. Показано, что оптические свойства слоев GaAsN в исследованном диапазоне условий роста определяются рекомбинацией носителей через локализованные состояния, вызванные существенной неоднородностью распределения состава твердого раствора. Увеличение концентрации азота приводит к усилению неоднородности состава и увеличению энергии локализации носителей.
- A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 1643 (1999)
- K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, Y. Yazawa, M. Okai. Electron. Lett., 32, 1585 (1996)
- K.D. Choquette, J.F. Clem, A.J. Fisher, O. Blum, A.A. Allerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36, 1388 (2000)
- G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37, 92 (2001)
- H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 74, 2337 (1999)
- H.P. Xin, K.L. Kavanagh, Z.Q. Zhu, C.W. Tu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1649 (1999)
- B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, 186 (2001)
- I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, B.V. Volovik, A. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, O.M. Gorbenko, W. Passenberg, H. Kuenzel, N.Grote, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neuman, P.Werner, N.D. Zakharov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, 2001) с. 82
- A. Kaschner, T. Luttgert, H. Born, A. Hoffmann, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 78, 1391 (2001)
- A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
