Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Воловик Б.В.¹, Крыжановская Н.В.¹, Сизов Д.С.¹, Ковш А.Р.^1,2, Цацульников А.Ф.¹, Chi J.Y.², Wang J.S.², Wei L.², Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.

Поступила в редакцию: 12 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, имеющих различную концентрацию азота в слоях. Показано, что оптические свойства слоев GaAsN в исследованном диапазоне условий роста определяются рекомбинацией носителей через локализованные состояния, вызванные существенной неоднородностью распределения состава твердого раствора. Увеличение концентрации азота приводит к усилению неоднородности состава и увеличению энергии локализации носителей.

A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 1643 (1999)
K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, Y. Yazawa, M. Okai. Electron. Lett., 32, 1585 (1996)
K.D. Choquette, J.F. Clem, A.J. Fisher, O. Blum, A.A. Allerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36, 1388 (2000)
G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37, 92 (2001)
H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 74, 2337 (1999)
H.P. Xin, K.L. Kavanagh, Z.Q. Zhu, C.W. Tu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1649 (1999)
B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, 186 (2001)
I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, B.V. Volovik, A. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, O.M. Gorbenko, W. Passenberg, H. Kuenzel, N.Grote, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neuman, P.Werner, N.D. Zakharov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, 2001) с. 82
A. Kaschner, T. Luttgert, H. Born, A. Hoffmann, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 78, 1391 (2001)
A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель