Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов Mg_0.15Cd_0.85Te под действием импульсного излучения лазера из области прозрачности кристаллов

Байдуллаева А.¹, Венгер Е.Ф.¹, Власенко А.И.¹, Ломовцев А.В.¹, Мозоль П.Е.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 18 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы изменения равновесной проводимости, фотопроводимости образцов Mg_0.15Cd_0.85Te от плотности мощности импульсного излучения лазера из области прозрачности кристаллов. Обнаружено увеличение фотопроводимости, сдвиг длинноволновой границы фотопроводимости в сторону больших энергий. Установлено, что изменение электрических свойств кристаллов обусловлено увеличением концентрации доноров в приповерхностной области кристаллов с энергиями ионизации E₁=0.015 эВ и E₂=0.035 эВ. Рассмотрены и проанализированы возможные причины и механизмы изменения фотоэлектрических свойств кристаллов A^IIB^VI, подвергнутых лазерному облучению.

R. Yaniomoto, M. Inoue, K. Hob, T. Shitaya. Japan. J. Appl. Phys., 6 (5), 537 (1967)
R. Yamomoto, K. Itoh. Japan. J. Appl. Phys., 8 (3), 341 (1969)
А.П. Ахаян, А. Байдуллаева, Н.Е. Корсунская, П.Е. Мозоль. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 106 (1987)
А. Байдуллаева, П.Е. Мозоль, Е.А. Сальков, Н.И. Витряховский. ФТТ, 28 (11), 3561 (1986)
П.Е. Мозоль, М.Л. Лисица, В.С. Коваль, И.В. Пашкевич, И.В. Фекешгази. В сб.: Квантовая электроника (Наук. думка, 1976) N 10, с. 31
И.В. Маркевич, В.А. Хвостов, М.К. Шейнкман. ФТП, 5 (10), 1904 (1971)
Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьева, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14 (1), 172 (1980)
M. Nagabhuoshanum, R.G. Ramchandar, B. Hari Babu. J. Less-Common. Met., 102, 97 (1984)
П.Е. Мозоль, А. Байдуллаева, Н.Е. Корсунская, Е.А. Сальков. В сб.: Квантовая электроника (Наук. думка, 1988) N 35, с. 41
В.В. Матлах, М.И. Илащук, О.С. Попенко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 19 (11), 1935 (1983)
А. Байдуллаева, Б. Джумаев, Н.Е. Корсунская, П.Е. Мозоль. УФЖ, 34 (8), 1265 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель