"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H и влияние на них термического отжига
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Теруков Е.И.2, Трапезникова И.Н.2, Афанасьев В.П.3, Гудовских А.С.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4· 106. С увеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.
  1. Jung-Chuan Chou, Shen-Kan Hsiung, Chih-Yuan Lu. J. Non-Cryst. Sol., 99, 23 (1988)
  2. T. Sakka, K. Toyoda, M. Iwasaki. Appl. Phys. Lett., 55, 1068 (1989)
  3. И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  4. K. Fukutani, M. Kanbe, J. Non-Crust. Sol., 227--230, 63 (1998)
  5. J.P. Hong, C.O. Kim, T.U. Nahm, C.M. Kim. J. Appl. Phys., 87, 1676 (2000)
  6. K. Lips, T. Kanschat, D. Will, C. Lerner, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1021 (1998)
  7. M. Kondo, T. Nishimiya, K. Saito, K. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1031 (1998)
  8. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 495 (2000)
  9. Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски (М., Мир, 1987) вып. 11
  10. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  12. M.L. Knotek. Sol. St. Commun., 17, 1431 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.