"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H и влияние на них термического отжига
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Теруков Е.И.2, Трапезникова И.Н.2, Афанасьев В.П.3, Гудовских А.С.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4· 106. С увеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.
  • Jung-Chuan Chou, Shen-Kan Hsiung, Chih-Yuan Lu. J. Non-Cryst. Sol., 99, 23 (1988)
  • T. Sakka, K. Toyoda, M. Iwasaki. Appl. Phys. Lett., 55, 1068 (1989)
  • И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  • K. Fukutani, M. Kanbe, J. Non-Crust. Sol., 227--230, 63 (1998)
  • J.P. Hong, C.O. Kim, T.U. Nahm, C.M. Kim. J. Appl. Phys., 87, 1676 (2000)
  • K. Lips, T. Kanschat, D. Will, C. Lerner, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1021 (1998)
  • M. Kondo, T. Nishimiya, K. Saito, K. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1031 (1998)
  • В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 495 (2000)
  • Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски (М., Мир, 1987) вып. 11
  • Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  • M.L. Knotek. Sol. St. Commun., 17, 1431 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.