Вышедшие номера
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb)
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Шустов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1-3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.