"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увеличение частотного диапазона спектральной плотности шума кремниевых p-n-структур при облучении гамма-квантами
Барановский О.К.1, Кучинский П.В.2, Лутковский В.М.1, Петрунин А.П.2, Савенок Е.Д.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Шевченко, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до 2-2.5 раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.
  1. А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968)
  2. Н.Б. Лукьянчикова. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1990)
  3. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  4. Дж. Бендат, А. Пирсол. Прикладной анализ случайных данных (М., Мир, 1989)
  5. S.M. Krakauer. Proc. IEEE, 50(7), 1665 (1962)
  6. Б.И. Дацко. ФТП, 31, 186 (1997)
  7. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.