"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Увеличение частотного диапазона спектральной плотности шума кремниевых p-n-структур при облучении гамма-квантами
Барановский О.К.1, Кучинский П.В.2, Лутковский В.М.1, Петрунин А.П.2, Савенок Е.Д.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Шевченко, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до 2-2.5 раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.
  • А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968)
  • Н.Б. Лукьянчикова. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1990)
  • И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  • Дж. Бендат, А. Пирсол. Прикладной анализ случайных данных (М., Мир, 1989)
  • S.M. Krakauer. Proc. IEEE, 50(7), 1665 (1962)
  • Б.И. Дацко. ФТП, 31, 186 (1997)
  • В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.