"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства
Воронина Т.И.1, Журтанов Б.Е.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Розов А.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследован магнитотранспорт в узкозонных гетеропереходах InxGa1-xAsySb1-y/GaSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии с различным составом In в твердом растворе (x=0.85-0.95, Eg=<0.4 эВ). Показано, что в зависимости от содержания In в этих гетероструктурах может быть реализован ступенчатый гетеропереход II типа (при x=0.85) или разъединенный гетеропереход (при x=0.95) с высокоподвижным электронным каналом на гетерогранице (mu~=20 000 см2/В·с). При x=0.92 в зависимости от температуры наблюдаются оба типа гетеропереходов. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с зонной энергетической диаграммой изучаемых гетероструктур II типа InGaAsSb/GaSb.
  1. G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 18 (6), 2812 (1978)
  2. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  3. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП 31, 897 (1997)
  4. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 215 (1998)
  5. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 194 (2000)
  6. M.P. Mikhailova, N.L. Bazhenov, V.A. Berezovets, A.V. Chernyaev, V.I. Ivanov-Omskii. K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. Proc. of Int. Symp. Nanostructures: Physic and Technology (St. Petersburg, Russia, June 23--27, 1997) p. 152
  7. М.А. Афраимов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  8. Ф. Милнс, Т.Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир 1979)
  9. M. Nako, S. Yoshida, S. Ganda. Sol. St. Sommun, 49, 663 (1984)
  10. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  11. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир 1967)
  12. J.C. Dewinter, M.A. Pollack, A.K. Srivastava, J.L. Zyskind. J. Electron. Mater., 4, 727 (1985)
  13. M. Mebarki, A. Kadri. Soc. St. Sommun., 72, 795 (1989)
  14. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 8, 1103 (1987)
  15. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, М.А. Сиповская, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 781 (1999)
  16. К. Субашиев, С.А. Плотников. ФТП, 2, 1169 (1960)
  17. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 276 (1991)
  18. M.S. Daly, D.M. Simons, M. Lakrimi, R.L. Nicolas, N.J. Mason, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 11, 823 (1996)
  19. Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, А.Ф. Цацульников, П.В. Неклюдов, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1246 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.