"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства
Воронина Т.И.1, Журтанов Б.Е.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Розов А.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследован магнитотранспорт в узкозонных гетеропереходах InxGa1-xAsySb1-y/GaSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии с различным составом In в твердом растворе (x=0.85-0.95, Eg=<0.4 эВ). Показано, что в зависимости от содержания In в этих гетероструктурах может быть реализован ступенчатый гетеропереход II типа (при x=0.85) или разъединенный гетеропереход (при x=0.95) с высокоподвижным электронным каналом на гетерогранице (mu~=20 000 см2/В·с). При x=0.92 в зависимости от температуры наблюдаются оба типа гетеропереходов. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с зонной энергетической диаграммой изучаемых гетероструктур II типа InGaAsSb/GaSb.
  • G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 18 (6), 2812 (1978)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП 31, 897 (1997)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 215 (1998)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 194 (2000)
  • M.P. Mikhailova, N.L. Bazhenov, V.A. Berezovets, A.V. Chernyaev, V.I. Ivanov-Omskii. K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. Proc. of Int. Symp. Nanostructures: Physic and Technology (St. Petersburg, Russia, June 23--27, 1997) p. 152
  • М.А. Афраимов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  • Ф. Милнс, Т.Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир 1979)
  • M. Nako, S. Yoshida, S. Ganda. Sol. St. Sommun, 49, 663 (1984)
  • M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  • О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир 1967)
  • J.C. Dewinter, M.A. Pollack, A.K. Srivastava, J.L. Zyskind. J. Electron. Mater., 4, 727 (1985)
  • M. Mebarki, A. Kadri. Soc. St. Sommun., 72, 795 (1989)
  • А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 8, 1103 (1987)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, М.А. Сиповская, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 781 (1999)
  • К. Субашиев, С.А. Плотников. ФТП, 2, 1169 (1960)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 276 (1991)
  • M.S. Daly, D.M. Simons, M. Lakrimi, R.L. Nicolas, N.J. Mason, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 11, 823 (1996)
  • Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, А.Ф. Цацульников, П.В. Неклюдов, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1246 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.