"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость магниторезистивного эффекта в пленках ферромагнитных полупроводников на основе оксидов редкоземельных элементов
Кабанов В.Ф.1, Карасев С.А.1, Федоренко Я.Г.1
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Рассмотрена и проанализирована температурная зависимость эффекта положительного магнитосопротивления в пленках некоторых оксидов редкоземельных элементов (гадолиния, европия и твердого раствора европия с самарием) в области температуры Кюри. Показано, что ход температурной зависимости эффекта, его знак и величина определяются зависимостью величины магнитного момента магнитного кластера как от напряженности внешнего магнитного поля, так и от параметров пленок --- величины спина магнитного иона, обменной энергии, концентрации дефектов и ряда других.
  • В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 31, 626 (1997)
  • Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • В.А. Капустин. В сб.: Редкоземельные полупроводники (Л., Наука, 1977) с. 82
  • В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. Введение в физикохимию ферромагнитных полупроводников (М., Металлургия, 1988)
  • В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.