"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новый магнитный полупроводник Cd1-xMnxGeP2
Медведкин Г.А.1,2, Ишибаши Т.2, Ниши Т.2, Сато К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 18 Токио, Япония
Поступила в редакцию: 8 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Выращен и исследован новый полупроводниковый материал, представляющий собой твердый раствор в группе тройных алмазоподобных полупроводников с переходным элементом Mn. Согласно рентгеновским дифракционным измерениям, кристаллическая структура подобна базовому материалу CdGeP2 с решеткой халькопирита. Межплоскостные расстояния и постоянная решетки снижаются с увеличением концентрации марганца: a=5.741 Angstrem ->5.710 Angstrem -> 5.695 Angstrem в ряду соединений CdGeP2->Cd1-xMnx GeP2->Cd1-yMnyGeP2 (x<y). Методами электронной микроскопии и энергетической дисперсии рентгеновских лучей исследован состав на поверхности и концентрационные профили в глубину для химических элементов четверной системы Cd--Mn--Ge--P. На глубине 0.4 мкм отношение молекулярных концентраций марганца и кадмия составляет Mn/Cd = 0.2.
  • O.G. Folberth. Patent BRG No. 1.044.980, kl. 21g 11/02 (November 14, 1955)
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  • Landolt-Bornstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. by O. Madelung (Berlin--Heidelberg, Springer Verlag, 1985) v. 17h
  • Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно поляризованного излучения (Ташкент, ФАН, 1992)
  • Abstracts 12th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, March 13--17, 2000) [Proc. ICTMC-12, Special issue. Jap. J. Appl. Phys. (2000)]
  • K. Sato, H. Karayama-Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 39, L555 (2000)
  • G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, K. Sato. Jap. J. Appl. Phys., 39, L949 (2000)
  • K. Sato, G.A. Medvedkin, T. Ishibashi. Proc. Int. Conf. on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13--15, 2000
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.