"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV
Борисенко С.И.1
1Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Проведен численный анализ неравновесной функции распределения для рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводнике GaAs. Уравнение Больцмана для неравновесной функции решалось численно итерационным методом с учетом распределения электронов по состояниям. Показано, что неравновесная добавка к функции распределения при низких температурах имеет сложный вид. Значения подвижности, рассчитанной с этой функцией, сравниваются с величиной, полученной в широко используемом приближении.
  1. В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
  2. М.Б. Коханюк. Фосфид индия в полупроводниковой электронике (Кишинев, 1988)
  3. Я.Э. Кирсон, Э.Э. Клотыньш, Р.К. Круминя. Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук., N 3, 47 (1982)
  4. B. Podor, N. Nador. Acta Phys. Academ. Sci. Hungaricae, 37, (1974) p. 317
  5. A. Fortini, B. Diguet, J. Lugand. J. Appl. Phys., 32, Suppl., 2155 (1961)
  6. H. Ehrenreich. Phys. Rev., 120, 1951 (1960)
  7. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) гл. 8, c. 481
  8. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) гл. 3, с. 131

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.