"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV
Борисенко С.И.1
1Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Проведен численный анализ неравновесной функции распределения для рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводнике GaAs. Уравнение Больцмана для неравновесной функции решалось численно итерационным методом с учетом распределения электронов по состояниям. Показано, что неравновесная добавка к функции распределения при низких температурах имеет сложный вид. Значения подвижности, рассчитанной с этой функцией, сравниваются с величиной, полученной в широко используемом приближении.
  • В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
  • М.Б. Коханюк. Фосфид индия в полупроводниковой электронике (Кишинев, 1988)
  • Я.Э. Кирсон, Э.Э. Клотыньш, Р.К. Круминя. Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук., N 3, 47 (1982)
  • B. Podor, N. Nador. Acta Phys. Academ. Sci. Hungaricae, 37, (1974) p. 317
  • A. Fortini, B. Diguet, J. Lugand. J. Appl. Phys., 32, Suppl., 2155 (1961)
  • H. Ehrenreich. Phys. Rev., 120, 1951 (1960)
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) гл. 8, c. 481
  • Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) гл. 3, с. 131
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.