Вышедшие номера
Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP
Пипинис П.А.1, Римейка А.К.1, Лапейка В.А.1, Пипинене А.В.1
1Вильнюсский педагогический университет, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 10 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах <280 K. Результаты объясняются стимулированной фононами туннельной генерацией носителей заряда из поверхностных состояний полупроводника с учетом эмиссии посредством механизма Френкеля. Установлено, что в низкотемпературной области туннелирование осуществляется через центры с уровнями глубиной 0.51 эВ. Из сопоставления результатов опыта с теорией даны оценка напряженности поля в барьере - (5-13)· 107 В/м и поверхностная плотность заряда дырок в граничном слое полупроводника.
  1. Г.С. Короченков, И.М. Молодян. Микроэлектроника, 2, 168 (1978)
  2. O. Wada, A. Majerfeld, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 381 (1982)
  3. B. Tuck, G. Eftekhari, D.M. de Cogan. J. Phys. D: Appl. Phys., 15, 457 (1982)
  4. E. Hokelek, G.Y. Robinson. J. Appl. Phys., 54, 5199 (1983)
  5. Y.P. Song, R.L. Van Meirhaege, W.H. Laflere, F. Cardon. Sol. St. Electron., 29, 663 (1986)
  6. A. Singh, K.C. Reinhardt, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 68, 3475 (1990)
  7. A. Singh, P. Cova, R.A. Masut. J. Appl. Phys., 76, 2336 (1994)
  8. Z. Ouennoughi, K. Boulkroun, M. Remy, R. Hurgon, J.R. Cussenot. J. Phys. D: Appl. Phys., 27, 1014 (1994)
  9. Ch.-Y. Wu. J. Appl. Phys., 51, 3786 (1980)
  10. R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegv znaite. Sol. St. Commun., 55, 25 (1985)
  11. П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка. ФТП, 32, 882 (1998)
  12. P. Pipinys, A. Pipiniene, A. Rimeika. J. Appl. Phys., 86, 6875 (1999)
  13. Ф.И. Далидчик. ЖЭТФ, 74, 472 (1978)
  14. И.Я. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1292 (1938)
  15. А.Н. Георгобиани, И.М. Тигиняну. ФТП, 22, 3 (1988)
  16. P.A. Martin, B.T. Streetman, K. Hess. J. Appl. Phys., 52, 7409 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.