Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поверхностное геттерирование фоновых примесей и дефектов в пластинах GaAs

Власенко Л.С.¹, Гореленок А.Т.¹, Емцев В.В.¹, Каманин А.В.¹, Полоскин Д.С.¹, Шмидт Н.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 августа 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены первые результаты по поверхностному геттерированию фоновых примесей и дефектов из объема нелегированных монокристаллических пластин GaAs с ориентацией (111), толщиной 1.6 мм, с исходной концентрацией (1-3)·10¹⁵ см^-3 и подвижностью при комнатной температуре 1500-2000 см²/В·с. Пластины были получены из монокристаллов, выращенных методом Чохральского из расплава Ga-As, нестехиометрического состава, с избытком As. Геттерирование осуществлялось в процессе термообработки с осажденным на поверхность пластин слоем иттрия или SiO₂ толщиной 1000 Angstrem в атмосфере водорода при температурах 400-850^oC. После геттрирования концентрация носителей уменьшилась до 10⁸-10¹⁰ см^-3, а подвижность возросла до 7000 см²/В·c.

H.J. von Bardeleben, J.C. Bougoin. Defect Control in Semiconductors, ed. by K. Sumino (Elsevier, Amsterdam, 1990)
C.M. Buttar. Nucl. Instr. Meth. Phys. Rev. A, 395, 1 (1997)
Е.И. Иванов, Л.В. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.М. Шмидт. ВТП, 16, 207 (1982)
L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M.E. Levinstein, M.S. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1997) p. 91
А.Т. Гореленок, В.Л. Крюков, Г.П. Фурманов. Письма ЖТФ, 20(13), 60 (1994)
Л.С. Власенко, М.П. Власенко, В.Н. Ломасов, В.А. Храмцов. ЖЭТФ, 91, 1037 (1986)
L.S. Vlasenko. In: Semiconductors and Insulators: Optical and Spectroscopic Research, ed. by Yu. Koptev (Nova Sciences Publishers, Inc. 1992) p. 217
L.S. Vlasenko, Yu.V. Martynov, T. Gregorkievicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 52, 1144 (1995)
C.H. Kang, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 62, 3482 (1987)
П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
I. Ohbi, M. Takahama, K. Hiruma. Appl. Phys. Lett., 61, 1677 (1992)
N. Ohkobo, M. Shishikura, S. Matsumoto. J. Appl. Phys., 73, 615 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель