Вышедшие номера
Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Предложен метод расчета квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пиков ионных токов на вольт-амперной характеристике. Рассматривается влияние полупроводника на вид вольт-амперной характеристики. Рассчитано распределение ионов в пленке; предложены формулы для определения фоновой концентрации ионов в пленке и их концентрации на границе раздела диэлектрик-полупроводник.
  1. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  2. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, ФТП, 32, 1439 (1998)
  3. J.F. Verwey, E.A. Amerasekara, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
  4. G.F. Derbenwick. J. Appl. Phys., 48, 1127 (1977)
  5. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  6. A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2976 (1978)
  7. V.P. Romanov, Yu.A. Chaplygin. Phys. St. Sol. (a), 53, 493 (1979)
  8. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 34 (8), 970 (2000)
  9. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1
  10. А.Г. Дутов, В.А. Комар. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 1 (204), 52 (1990)
  11. К.Х. Зайнингер. В сб.: Полевые транзисторы. Физика, технология и применение (М., Сов. радио, 1971) с. 31
  12. S.R. Hofstein, G. Warfield. Sol. St. Electron., 8, 321 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.