Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода

Антонова И.В.¹, Стась В.Ф.¹, Попов В.П.¹, Ободников В.И.¹, Гутаковский А.К.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены структуры кремний-на-изоляторе путем отделения от пластины кремния тонкого слоя за счет имплантации водорода, переноса этого слоя на другую подложку и сращивания с ней. Исследовано влияние водорода и уровня легирования исходных пластин на концентрацию свободных носителей и тип проводимости в отсеченном слое кремния. Показано, что высокая концентрация бора в исходном материале в сочетании с высокой концентрацией остаточного водорода в слое кремния, отделенном от пластины, приводит к n-типу проводимости, который сохраняется до температур отжига структур 1100^oC. Уменьшение концентрации остаточного водорода за счет дополнительного отжига создает условия, когда проводимость готовых структур соответствует типу проводимости исходного материала.

M. Bruel, B. Aspar, C. Maleville, H. Moriceau, A.J. Auberton-Herve, T. Barge. Electrochem. Soc. Proc., 97--23, 3 (1997)
M. Bruel. Nucl. Instr. Meth. B, 108, 313 (1996)
V.P. Popov, E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.F. Stas, V.I. Obodnikov. Physica B, 270, 1 (1999)
Q.-Y. Tong, R. Scholz, U. Goesele, T.-H. Lee, L.-J. Huang, Y.-L. Chao, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 72, 49 (1998)
T. Hara, Y. Kakizaki, S. Oshima, T. Kitamura. Electrochem. Soc. Proc., 97--23, 33 (1998)
M. Bruni, D. Bisero, R. Tonini, G. Ottaviani, G. Queirolo, R. Bottini. Phys. Rev. B, 49, 5291 (1994)
C.P. Ewels, R. Jones. S. Oberg, J. Miro, P. Deak. Phys. Rev. Lett., 77, 865 (1996)
J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, L.J. Cheng, J.C. Corelli, Y.H. Lee, P.M. Mooney, C. Weigel. In: Radiation Effects in Semiconductors [Conf. Ser., N 31 (Inst. Phys., London--Bristol, 1977)] p. 1
H.J. Stain, S. Hahn. J. Electrochem. Soc., 142, 1242 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель