Вышедшие номера
Термоэдс в биполярном полупроводнике при увлечении носителей тока фононами
Конин А.1, Рагуотис Р.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Получено выражение, описывающее термоэдс в полупроводниковом образце при малых отклонениях концентраций носителей заряда от равновесных и произвольной степени увлечения электронно-дырочных пар фононами. Показано, что при наличии термоувлечения величина термоэдс значительно изменяется в образце любых размеров. При определенных условиях может измениться также знак термоэдс.