Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge в области прыжкового транспорта по состоянию кулоновской щели

Андреев А.Г.¹, Егоров С.В.¹, Забродский А.Г.¹, Парфеньев Р.В.¹, Черняев А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 января 2000 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено и экспериментально исследовано явление гистерезиса магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge : Ga в режиме прыжкового транспорта по состояниям кулоновской щели. Гистерезис сопровождается скачкообразным уменьшением сопротивления в магнитном поле величиной около 800 Э после предварительного намагничивания образца в полях, превосходящих 1 кЭ. Относительная величина скачка сопротивления растет с понижением температуры. Этот эффект наблюдается на изоляторной стороне перехода металл-изолятор, который происходит при концентрации Ga 1.85· 10¹⁷ см^-3. Исследованы основные закономерности и предложены возможные объяснения обнаруженного явления.

A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol., 205, 61 (1998)
А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992)
А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. Письма ЖЭТФ, 58, 809 (1993)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 218
А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев. Тез. докл. XXXI совещ. по физике низких температур (М., 1998) с. 44
А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 28, 168 (1994)
А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
M. Shimizu. Proc. Phys. Soc., 84, 397 (1963); 86, 147 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель