Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO₂/n-Si

Векслер М.И.¹, Грехов И.В.¹, Шулекин А.Ф.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

PDF версия

Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO₂/n-Si с толщиной SiO₂ в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 10¹⁴-10¹⁸ см^-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.

K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron Dev., ED-35, N 2, 188 (1988)
T. Yoshimoto, K. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 32 (12), L180 (1993)
H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45, N 3, 691 (1996)
S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys.Lett., 38 (1), 41 (1981)
И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (3), 44 (1991)
I.V. Grekov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8), 1533 (1995)
Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28 (8), 1411 (1994)
A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
Y. Wang, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 75 (1), 313 (1994)
W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, N 2 (1982)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. [Пер. с англ.: М., Мир, 1984] т. 1, с. 99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель