Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника

Демьяненко М.А.¹, Овсюк В.Н.², Шашкин В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Поступила в редакцию: 2 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ многофононного термополевого захвата термически равновесных носителей заряда на глубокие центры, расположенные в обедненной области полупроводника. Показано, что в случае сильной электрон-фононной связи многофононный захват с предварительным туннелированием электрона под потенциальный барьер области обеднения происходит с меньшей скоростью, чем прямой многофононный захват в нейтральном объеме полупроводника, а в случае слабой электрон-фононной связи скорость захвата в обедненной области полупроводника может превысить скорость захвата в нейтральном объеме на несколько порядков. Результаты экспериментального исследования процессов захвата в легированном кремнием AlGaAs указывают на сильную электрон-фононную связь в DX-центрах.

T. Markvart. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 14, L895 (1981)
В.Н. Абакумов, И.А. Меркулов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 89, 1472 (1985)
В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 2319 (1986)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПБ., Петербургский ИЯФ РАН, 1997), гл. 9, с. 10
S.D. Ganichev, I.N. Yassievich, W. Prettl, J. Diener, B.K. Meyer, K.W. Benz. Phys. Rev. Lett., 75, 1590 (1995)
С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979)
JCM Henning, IPM Ansems. Semicond. Sci. Technol., 2, 1 (1987)
P.M. Mooney, G.A. Northrop, T.N. Morgan, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 37, 8298 (1988)
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
Б.А. Бобылев, В.Н. Овсюк, С.Б. Севастьянов, В.И. Усик. ФТП, 23, 1932 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель