"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ультраквазигидродинамический электронный транспорт в субмикронных полевых МДП-транзисторах и гетеротранзисторах
Гергель В.А.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1, Федоров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-диффузионному приближению. Используя редукцию уравнения теплового баланса за счет терморелаксационного члена, получено простое аналитическое выражение для вольт-амперных характеристик транзистора. В частности, ток насыщения транзистора в развитой ультраквазигидродинамической модели пропорционален (VG-Vt)3/2. Приведены результаты измерений характеристик тестовых гетеротранзисторов P-HEMT GaAlAs/InGaAs/GaAs с длиной канала ~ 0.3 мкм, подтверждающие адекватность развитой модели, точность которой с дальнейшим уменьшением длины канала будет лишь увеличиваться.
  • В.А. Федирко. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, N 3, 23 (1984)
  • В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18(5), 769 (1984)
  • I.C. Kizilyalli, K. Hess, J.L. Larson et al. IEEE Trans. Electron. Dev., 33(10), 1427 (1986)
  • В.Э. Каминский. Микроэлектроника, 17(5), 421 (1988)
  • K. Lee, M.S. Shur, T.J. Drummond et al. IEEE Trans. Electron. Dev., 31(1), 29 (1984)
  • А.А. Кальфа. Электрон. техн., сер. 1, N 11, 383 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.