"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантово-механические особенности эффекта поля в гетеротранзисторах с модуляционным и delta-легированием
Гергель В.А.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Построена замкнутая теоретическая модель эффекта поля в гетеротранзисторных структурах с модуляционным и delta-легированием. В модели последовательно учтены: квантование энергетического спектра электронов в канале и фермиевский характер заполнения соответствующих энергетических подзон. Используя оригинальный приближенный метод суммирования парциальных электронных плотностей нижних подзон пространственного квантования, получены результирующие зависимости поверхностной плотности от химического потенциала и напряжения на затворе транзистора, справедливые во всем диапазоне возможных концентраций носителей в канале, от малых (подпороговых) до сверхбольших (ультраквантовых).
  • А.А. Кальфа, А.С. Тагер. В кн.: Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки (Горький, 1985) c. 104--131
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  • V.G. Mokerov, D.V. Amelin, A.V. Hook, V.E. Kaminsky, Yu.V. Fedorov, A.S. Shubin. In: Compounds Semiconductors (Philadelphia, Institute of Physics Conference, 1996)
  • C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
  • T. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Физматгиз, 1963)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.