"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах
Горячев Д.Н.1, Полисский Г.2, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Мюнхенский технический университет, E-16, Гархинг, Германия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Предложена модель, описывающая перенос и инжекцию носителей в гетерофазной системе <кремниевая подложка>/<кремниевые нанокристаллиты>/<электролит> при возбуждении электролюминесценции. Основная часть тока проходит из электролита непосредственно в подложку, минуя нанокристаллиты. Электрохимические процессы на границе подложки и электролита порождают электроактивные частицы, инжектирующие один или оба вида носителей соответственно в макро- и нанокристаллиты. При биполярной инжекции нанокристаллиты играют роль катализатора в экзотермических реакциях обмена зарядами между электроактивными частицами, несущими противоположные заряды. При этом частицы передают нанокристаллитам энергию, накопленную ими при их образовании. Часть этой энергии освобождается путем радиационной рекомбинации. Возникает эффективная видимая электролюминесценция, слабо зависящая от степени легирования и типа проводимости исходного кремния.
  • A. Uhler. Bell Syst. Tech. J., 35, 333 (1956)
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • V. Lehmann, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
  • A. Halimaoui, C. Oules, G. Bromchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller. Appl. Phys. Lett., 59, 304 (1991)
  • P.M.M.C. Bressers, J.W.J. Knapen, E.A. Meulenkamp, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 61, 108 (1992)
  • Z. Chen, G. Bosman, R. Ochoa. Appl. Phys. Lett., 62, 708 (1993)
  • N. Koshida, H. Koyama, Y. Yamamoto, G.J. Collins. Appl. Phys. Lett., 63, 2655 (1993)
  • R. Memming, G. Schwandt. Electrochem. Acta, 13, 1299 (1968); R. Memming. J. Electrochem. Soc., 116, 785 (1969)
  • S.R. Morrison. J. Appl. Phys., 53, 1233 (1982)
  • L.T. Canham, W.Y. Leong, M.I.J. Beale, T.I. Cox, L. Taylor. Appl. Phys. Lett., 61, 2563 (1992)
  • Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1815 (1993) [L.V. Belyakov, D.N. Goryachev, O.M. Sreseli, I.D. Yaroshetskii. Semiconductors, 27, 999 (1993)]
  • A. Gee. J. Electrochem. Soc., 107, 787 (1960)
  • A.G. Gullis, L.T. Canham, D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • P.C. Searson, S.M. Prokes, O.J. Glembocki. J. Electrochem. Soc., 140, 3327 (1993)
  • M. Ligeon, F. Muller, R. Herino, F. Gaspard, J.-C. Vial, R. Romestain, S. Billat, A. Bsiesy. J. Appl. Phys., 74, 1265 (1993)
  • A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, J.-C. Vial. Phys. Rev. Lett., 71, 637 (1993)
  • A. Bsiesy, M.A. Hory, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, J.-C. Vial. Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors (Pittsburs, PA, USA, 1995) [Mater. Res. Symp. Proc., 358, 619 (1995)]
  • A. Bsiesy, B. Gellos, M.A. Hory, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, L.-C. Vial. Advanced Luminescent Materials, ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida and S.R.J. Brueck (Pennington, NJ, USA, 1996) PV 95--25, p. 1
  • Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. ФТП, 31, 844 (1997) [D.H. Goryachev, O.M. Sreseli, L.V. Belyakov. Semiconductors, 31, 716 (1997)]
  • Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, Г. Полисский, О.М. Сресели. ФТП, 32, 591 (1998) [D.N. Goryachev, L.V. Belyakov, G. Polisski, O.M. Sreseli. Semiconductors, 32, 529 (1998)]
  • Y. Arita, K. Kato, T. Sudo. IEEE Trans. Electron. Dev., 24, 756 (1977)
  • A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren. P.D.J. Calcott. Thin. Sol. Films, 255, 12 (1995)
  • С.П. Зимин. Письма ЖТФ, 20(7), 55 (1994)
  • E.A. Lebedev, G. Polisski, V. Petrova-Koch. Semiconductors, 30, 775 (1996); E.A. Lebedev, G. Polisski, E.A. Smorgonskaya. Phys. Rev. B, 57, 14 607 (1998)
  • Th. Dittrich, J. Rappich, V.Yu. Timoshenko. Appl. Phys. Lett., 70, 2705 (1997)
  • Л.В. Беляков, Т.Л. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1122 (1998) [L.V. Belyakov, T.L. Makarova, V.I. Saharov, I.T. Serenkov, O.M. Sreseli. Semiconductors, 32, 1003 (1998)]
  • M. Ben-Chorin, F. Moeller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2891 (1994); L. Pavesi, M. Ceschini, G. Mariotto, E. Zanghellini, O. Bisi, M. Anderie, L. Calliari, M. Fedrizzi, L. Fedrizzi. J. Appl. Phys., 75, 1118 (1994)
  • N. Koshida, H. Koyama. Appl. Phys. Lett., 60, 347 (1992)
  • L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. Advanced Luminescent Materials, ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida and S.R.J. Brueck (Pennington, NJ, USA, 1996) PV 95-25, p. 34
  • N.F. Mott, E. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1971)
  • L.T. Canham, A. Groszek. J. Appl. Phys., 72, 1558 (1992)
  • Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. Письма ЖТФ, 23(1), 59 (1997) [D.N. Goryachev, O.M. Sreseli, L.V. Belyakov. Techn. Phys. Lett., 23, 35 (1997)]
  • O.M. Sreseli, G. Polisski, D. Kovalev, D.H. Goryachev, L.V. Belyakov, F. Koch. Advanced Luminescent Materials, ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida and S.R.J. Brueck (Pennington, NJ, USA, 1996) PV 95-25, p. 24
  • S.R. Morrison. The Chemical Physics of Surfaces (Plenum Press, N.Y.--London, 1977)
  • F.F. Volkenstein. The Theory of Catalysis of Semiconductor (Pergamon, N.Y., 1963)
  • T.van Buuren, T. Tiedje, J.R. Dahn, B.M. Way. Appl. Phys. Lett., 63, 2911 (1993)
  • F. Lohmann. Z. Naturforsch., 22a, 813 (1967)
  • O. Sreseli, V. Petrova-Koch, D. Kovalev, T. Muschik, S. Hofreiter, F. Koch. The Physics of Semiconductors, ed. by D.J. Lockwood (World Scientific, Canada, Vancouver, 1994) v. 3, p. 2117
  • Г. Полисский, О.М. Сресели, А.В. Андрианов, Ф. Кох. ФТП, 31(3), 112 (1997) [G. Polisski, F. Koch, O.M. Sreseli, A.V. Andrianov. Semiconductors, 31(3), 304 (1997)]
  • O. Sreseli, D.H. Goryachev, G. Polisski, L.V. Belyakov, F. Koch. Pits and Pores: Formation, Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmucki, D.J. Lockwood, H. Isaace and A. Bsiesy (Pennington, NJ, USA, 1997) PV 97-7, p. 104
  • L.M. Peter, R.I. Wielgosz. Appl. Phys. Lett., 69, 806 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.