Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Емкостные измерения в случае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода от приложенного напряжения

Лебедев А.А.¹, Давыдов Д.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости от частоты и малая величина емкостной отсечки), емкостные измерения в таких структурах могут быть некорректны.

А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. (Л., Наука, 1981)
О.В. Константинов, О.А. Мерзин. ФТП, 17, 305 (1983)
Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 19, 1382 (1985)
S. Ortolland, C. Raynald, J.P. Chante, M.L. Locatelli, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, V.E. Chelnokov. J. Appl. Phys., 80, 546 (1996)
А.А. Лебедев, М.М. Аникин, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 69 (1985)
W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys., A, 51, 231 (1991)
М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.М. Стрельчук. ФТП, 24, 1384 (1990)
А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
V.S. Balandovich, E.N. Mokhov. Transactions Second Intern. High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) v. 2. p. 181

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель