Предложена модель токопереноса в диодах с барьером Шоттки, использующая представление о баллистическом переносе электронов через тонкую базу. Для нахождения коэффициентов прохождения при расчете прямых и обратных вольт-амперных характеристик, а также времени прохождения применялся метод матрицы переноса. Показано, что учет полной формы потенциала приводит к хорошему согласию экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик. Обнаружено, что учет влияния тонкой базы приводит к понижению тока. Получено, что коэффициент прохождения через n-базу диода может быть близок к 1. Показано наличие большого числа локальных резонансов для коэффициента прохождения и немонотонная зависимость времени прохождения от энергии, обусловленные влиянием области базы. Проведены оценки частотного предела работы диодов. Предел быстродействия оказался в 10-100 раз выше оценки, проведенной с использованием классических представлений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.