Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученном протонами кремнии

Власенко Л.С.¹, Власенко М.П.¹, Козлов В.А.¹, Козловский В.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами спин-зависимой рекомбинации зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса центров рекомбинации в тонком (~1 мкм) приповерхностном слое кремния p-типа, выращенного методом Чохральского и облученного протонами с энергией ~100 кэВ. Обнаружены спектры возбужденных триплетных состояний комплексов кислород + вакансия (A-центры) и комплексов, состоящих из двух атомов углерода и межузельного атома кремния (комплексы C_S-Si_I-C_S). Максимальная интенсивность спектров электронного парамагнитного резонанса этих радиационных дефектов наблюдается при дозах облучения ~10¹³ см^-2 и уменьшается с увеличением дозы, что связано, по-видимому, с пассивацией радиационных дефектов водородом.

Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, СО АН СССР, 1980)
V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, L.S. Vlasenko. Rad. Eff., 106, 37 (1988)
Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.В. Козловского и В.С. Иванова (М., Энергоатомиздат, 1997)
H. Lutgemeier, K. Schnitzke. Phys. Lett., A, 25, 232 (1967)
В.А. Ботвин, Ю.В. Горелкинский, В.О. Сигле, М.А. Чубисов. ФТП, 6, 1683 (1972)
Ю.В. Горелкинский, Н.Н. Невинный. Письма ЖТФ, 13, 105 (1987)
Л.С. Власенко, М.П. Власенко, В.А. Храмцов, В.Н. Ломасов. ЖЭТФ, 91, 1037 (1986)
Л.С. Власенко, В.А. Храмцов. Письма ЖТФ, 11, 909 (1985)
L.S. Vlasenko. Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond., ed. by E.V. Anastassakis and J.D Joannopoulos (Thessaloniki, Greece, 1990) p. 714
K.L. Brower. Phys. Rev. B, 4, 1968 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель