"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности роста кремния на Si (100) в атмосфере мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин-=SUP=--=/SUP=- Г.Э.1, Петров В.Н.1, Поляков Н.К.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1, Денисов Д.В.2, Кудрявцев Ю.А.2, Бер Б.Е.2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Представлены результаты по исследованию методами дифракции быстрых электронов на отражение, сканирующей туннельной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии влияния фонового давления мышьяка на свойства автоэпитаксиальных слоев кремния, полученных на поверхности Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
  • G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  • K. Eberl, K. Brunner, W. Winter. Thin Sol. Films, 249, 98 (1997)
  • A.G. Gullis, L.T. Canha, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Н.И. Комяк, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма ЖТФ, 24(8), 10 (1998)
  • G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.A. Masalov, V.N. Petrov, N.N. Ledentsov, R. Heitz, M. Grundmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner, U. Gosele. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semicond., Jerusalem, 1998 (World Scientific, Singapoure, 1999) in press
  • A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, G.E. Cirlin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, P. Werner, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth (1999) in press
  • J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  • A. Ishisaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  • В.А. Иошкин, А.А. Орликовский, С.Р. Октябрьский, А.В. Квит, Е.Ю. Довыденко. Тр. ФТИАН (М., Наука, 1994) т. 8, c. 58
  • Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67(8), 111 (1997)
  • А.О. Голубок, С.А. Масалов, Н.Б. Пономарева, В.Н. Петров, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 2, 70 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.