"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода
Неустроев Е.П.1, Антонова И.В.2, Попов В.П.2, Киланов Д.В.2, Мисюк А.3
1Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт электронной технологии, Варшава, Польша
Поступила в редакцию: 18 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Исследованы донорные центры, формирующиеся в кремнии за областью непосредственного проникновения имплантированных ионов кислорода, в интервале температур 350/ 550oC. Установлено, что имплантация ионов кислорода в кремнии, выращенном методом Чохральского, сопровождается при отжиге ускоренным введением термодоноров практически по всей толщине исследованных кристаллов. Воздействие гидростатического давления еще в большей степени ускоряет процесс формирования донорных центров. Полученные данные позволяют сделать вывод, что ускоренное введение доноров связано с диффузией из имплантированного слоя в объем кристалла радиационных дефектов с коэффициентом диффузии не менее 1· 10-7 см2/с.
  1. V. Privetera, S. Coffa, F. Priolo, K.K. Larsen, S. Libertino, A. Carnera. Nucl. Instrum. Meth. B, 120, 9 (1996)
  2. W. Kaizer, H. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
  3. C.S. Fuller, J.H. Ditzenbergen, N.B. Hanny, E. Buehler. Phys. Rev., 96, 883 (1954)
  4. P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11 612 (1992)
  5. D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 51, 904 (1987)
  6. R. Pflueger, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (a), 91, k49 (1985)
  7. V.P. Popov, E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.F. Stas, V.I. Obodnikov. European MRS. Springer Meeting (1998) paper AP9
  8. T. Hallberg, J.L. Lingstrom. J. Appl. Phys., 72 (11), 5130 (1992)
  9. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 25, 1737 (1991)
  10. A. Henry, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, N. Magnea. Phys. St. Sol. (a), 107, 101 (1988)
  11. В.В. Литвинов, Г.В. Пальчик, В.И. Уренев. ФТП, 24, 367 (1990)
  12. H. Park, K.S. Jones, J.A. Slinkman, M.E. Law. J. Appl. Phys., 78, 3664 (1995)
  13. S. Hahn, H.J. Stein, S.C. Chatas, F.A. Ponce. J. Appl. Phys., 72, 1758 (1992)
  14. G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors (Inst. of Phys., London--Bristol, 1977) [Conf. Ser., N 31] p. 221
  15. D. Eaglesham. Phys. Wold, 4, 41 (1995)
  16. Gr. Davies, E.C. Lightowles, R.C. Newman, A.C. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  17. В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Interpress LTD, 1997) гл. 3, с. 46
  18. H. Takeno, Y. Hayamizu, K. Miki. J. Appl. Phys., 84, 3113 (1998)
  19. T. Yoneda, K. Kajiyama, F. Tohjou, Y. Yoshika, A. Ikeda, Y. Kisaka, T. Nishimura, Y. Kido. J. Appl. Phys., 36, 7323 (1997)
  20. U. Gozele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A, 28 (1), 31 (1982)
  21. R.C. Newman, J.H. Tucker, A.R. Broun, S.A. McQuaid. J. Appl. Phys., 70, 3061 (1991)
  22. L. Zhong, F. Shimura. J. Appl. Phys., 73, 707 (1993)
  23. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990)
  24. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 30, 265 (1996)
  25. H.J. Stein, S. Hahn. J. Electrochem. Soc., 142, 1247 (1995)
  26. Yu.V. Martynov, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. Lett., 74, 2030 (1995)
  27. P. Leary, R. Jones, S. Oberg. Phys. Rev. B, 57, 3887 (1998)
  28. D. Mathiot. Mater. Sci. Forum, 38--41, 649 (1989)
  29. M. Tajiama, M. Warashina, H. Takena, T. Abe. Appl. Phys. Lett., 65, 222 (1994)
  30. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 324 (1988)
  31. R. Falster, M. Pagani, D. Gambaro, M. Cornara, M. Olmo, G. Ferrero, P. Pichler, M. Lacob. Sol. St. Phenomena, 57--58, 129 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.