"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Импульсный пробой пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в присутствии магнитного поля
Воронков Э.Н.1
1Московский энергетический институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Наложение внешнего магнитного поля при пробое пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников позволило осуществить пространственно-временную развертку процесса эволюции токового канала и разделить вклады электронных и тепловых эффектов. Быстрое перемещение вдоль образца токового канала приводит к его охлаждению, что значительно снижает его разогрев джоулевым теплом и позволяет поднять мощность. Показано, что пробой имеет стримерно-лидерный механизм.
  • Б.Т. Кoломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8, 2097 (1963); Б.Т. Кoлoмиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, К.Д. Цэндин. ФТП, 17, 119 (1983)
  • S.R. Ovshinsky. Patent USA, cl. 307-885, N 3281591 (1963); D. Adler, M.S. Shur, M.N. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51, 3289 (1980)
  • С.А. Костылев, В.А. Шкут. Электронное переключение в аморфных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1978)
  • Г.И. Боровов, Э.Н. Воронков. ФТП, 10, 75 (1976)
  • В.Я. Ушаков. Импульсный электрический пробой жидкостей (Томск, Изд-во Том. ун-та, 1966)
  • M.I. Tompson, D. Pooladej, P.J. Walsh. J. Non-Cryst., 35/36, 1111 (1980)
  • A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Sol. St. Electron., 41, 813 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.