"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мультисвязи в безводородном аморфном кремнии
Машин А.И.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Приведены результаты исследований структуры ближнего порядка и электронного парамагнитного резонанса аморфного кремния, полученного сублимацией в вакууме и методом ионной имплантации. Отмечается, что при отжиге напыленного кремния при 500oC или при облучении монокристалла кремния неоном дозой более или порядка 1017 см-2 формируется аморфный кремний с атомами в sp2-гибридном состоянии. В последнем случае аморфный материал неоднороден по глубине и содержит слоистую структуру из кремниевых атомов с периодом 5.16 Angstrem. В обоих случаях наблюдается сигнал электронного парамагнитного резонанса с g-фактором g~= 2.0048, соответствующим оборванной связи атома кремния в sp2-состоянии.
  1. А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
  2. P.F. Schewe, B. Stein. AIP Bulletin of Physics News, N 388 (Story # 3). September 3 (1998)
  3. Д.А. Павлов, В.Г. Шунгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 29, 286 (1995)
  4. Л.И. Татаринова. Электронография аморфных веществ (М., Наука, 1972)
  5. С.И. Овсецин, Д.А. Хохлов, Е.А. Солдатов, А.И. Машин. Тез. докл. Всерос. конф. "XVI научные чтения им. Н.В. Белова", 15--16 декабря 1997 г., Н. Новгород (1997) с. 105
  6. В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.А. Филиков. Неорг. матер., 16, 1773 (1980)
  7. M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.J. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comput. Chem., 14, 1347 (1993)
  8. N. Ishii, M. Kumeda, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 20, N 9, L 673 (1981)
  9. A.V. Dvurechensky, I.A. Ryazantsev. Rad. Eff., 46, N 1--2, 129 (1980)
  10. А.Ф. Хохлов, А.И. Машин. Тез. докл. Всес. конф. "Радиационные дефекты в твердых телах", Ашхабад, 154 (1977)
  11. А.Ф. Хохлов, А.А. Ежевский, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. ДАН, 339, 370 (1994)
  12. Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис. В кн.: Ионное легирование полупроводников (М., Мир, 1973) с. 296

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.