"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мультисвязи в безводородном аморфном кремнии
Машин А.И.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Приведены результаты исследований структуры ближнего порядка и электронного парамагнитного резонанса аморфного кремния, полученного сублимацией в вакууме и методом ионной имплантации. Отмечается, что при отжиге напыленного кремния при 500oC или при облучении монокристалла кремния неоном дозой более или порядка 1017 см-2 формируется аморфный кремний с атомами в sp2-гибридном состоянии. В последнем случае аморфный материал неоднороден по глубине и содержит слоистую структуру из кремниевых атомов с периодом 5.16 Angstrem. В обоих случаях наблюдается сигнал электронного парамагнитного резонанса с g-фактором g~= 2.0048, соответствующим оборванной связи атома кремния в sp2-состоянии.
  • А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
  • P.F. Schewe, B. Stein. AIP Bulletin of Physics News, N 388 (Story # 3). September 3 (1998)
  • Д.А. Павлов, В.Г. Шунгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 29, 286 (1995)
  • Л.И. Татаринова. Электронография аморфных веществ (М., Наука, 1972)
  • С.И. Овсецин, Д.А. Хохлов, Е.А. Солдатов, А.И. Машин. Тез. докл. Всерос. конф. "XVI научные чтения им. Н.В. Белова", 15--16 декабря 1997 г., Н. Новгород (1997) с. 105
  • В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.А. Филиков. Неорг. матер., 16, 1773 (1980)
  • M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.J. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comput. Chem., 14, 1347 (1993)
  • N. Ishii, M. Kumeda, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 20, N 9, L 673 (1981)
  • A.V. Dvurechensky, I.A. Ryazantsev. Rad. Eff., 46, N 1--2, 129 (1980)
  • А.Ф. Хохлов, А.И. Машин. Тез. докл. Всес. конф. "Радиационные дефекты в твердых телах", Ашхабад, 154 (1977)
  • А.Ф. Хохлов, А.А. Ежевский, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. ДАН, 339, 370 (1994)
  • Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис. В кн.: Ионное легирование полупроводников (М., Мир, 1973) с. 296
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.