"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого раствора на напряженных островках
Воловик Б.В.1, Цацульников А.Ф.1, Бедарев Д.А.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Малеев Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Суворова А.А.1, Устинов В.М.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Бимберг Д.2, Вернер П.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 15 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

При заращивании массива напряженных наноостровков InAs, сформированных на поверхности GaAs, тонким (1-10 нм) слоем индийсодержащего твердого раствора обнаружен эффект стимулированного распада твердого раствора, приводящий к образованию областей с повышенной концентрацией In вблизи наноостровков. В результате этого эффекта объем сформированной InAs квантовой точки увеличивается, что приводит к значительному длинноволновому смещению линии фотолюминесценции. Данный эффект усиливается с уменьшением температуры подложки и слабо зависит от средней ширины запрещенной зоны твердого раствора. Указанный подход позволил получить излучение на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре.
  1. N.N. Ledentsov. Prog. Cryst. Growth and Charact., 35, 289 (1997)
  2. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  3. P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
  4. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
  5. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  6. М.В. Максимов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, И.В. Кочнев, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков. Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 31, 162 (1997)
  7. A.R. Kovsh, D.A. Livshits, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1999) (to be published)
  8. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Proc. ICPS24, Jerusalem, 1998 (World Scientific, 1998)
  9. R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995)
  10. D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
  11. R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 361 (1996)
  12. А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.А. Суворова, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Л. Бимберг. ФТП, 31, 109 (1997)
  13. M. Sopanen, H. Lispanen, J. Ahopelto. Appl. Phys. Lett., 66, 2364 (1995)
  14. I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, N.N. Ledentsov, I.P. Soshnikov, Yu.G. Musikhin, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, I.V. Kochnev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1998) p. 257

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.