Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотипных гетеропереходах p-Al_xGa_1-xAs / p-Al_yGa_1-yAs из C-V-измерений

Зубков В.И.¹, Мельник М.А.¹, Соломонов А.В.¹, Пихтин А.Н.¹, Бугге Ф.²

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Berlin, Deutchland

Поступила в редакцию: 18 января 1999 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изотипные гетеропереходы p-Al_xGa_1-xAs / p-Al_yGa_1-yAs, выращенные методом MOVPE на n-GaAs подложках, исследовались вольт-емкостным методом при температурах от 300 до 100 K. Для определения величины разрыва валентной зоны Delta E_V и встроенного в гетеропереход заряда решалось численно уравнение Пуассона на неоднородной координатной сетке. При расчете учитывалась неполная ионизация акцепторов и различная величина диэлектрической проницаемости в разных слоях гетероструктуры. Обнаружено, что для гетероперехода p-Al_0.2Ga_0.8As / p-Al_0.5Ga_0.5As Delta E_V составляет при комнатной температуре 39% (113 мэВ) от общей величины Delta E_g и монотонно уменьшается до 35% при T=120 K.

Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Ed. by Landolt-Bornstein, 22a (1986)
Properties of lattice-matched and strained Indium Gallium Arsenide, ed. by P. Bhattacharya. EMIS Datareviews Series (INSPEC, 1993)
Properties of Aluminium Gallium Arsenide. EMIS Datareviews Series (INSPEC, 1993)
F. Bugge, G. Erbert, S. Gramlich, I. Rechenberg, U. Zeimer, M. Weyers. Inst. Phys. Conf. Ser., N 145, 167 (1996)
F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
M.A. Melnik, A.N. Pikhtin, A.V. Solomonov, V.I. Zubkov, F. Bugge. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and technology" (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 263
S. Adachi. J. Appl. Phys., 54, 1844 (1983)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов. ФТП, 32, 61 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель