"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электропроводность изолирующего слоя на поверхности полупроводника, обусловленная электронно-ионным взаимодействием у межфазной границы
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Рассмотрены явления образования нейтральных электронно-ионных ассоциатов у границы раздела полупроводник--диэлектрик, а также их диффузии и распада в объеме диэлектрика. Возникающий после распада ассоциата ион под действием электрического поля в зависимости от его направления либо возвращается к границе раздела, либо уходит к противоположному электроду. В первом случае в слое толщиной порядка длины диффузии электронно-ионных ассоциатов возникает своеобразный кругооборот ионов у поверхности полупроводника, проявляющийся в виде стационарного слабо зависящего от электрического поля тока через диэлектрик. Во втором случае к переходному ионному току добавляется не зависящая от величины электрического поля компонента, связанная с диффузией и с распадом ассоциатов. Предсказанные эффекты обнаружены в изолирующих слоях кремниевых МОП структур.
  1. A. Hartstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
  2. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 75, 191 (1978); ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  3. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metall Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1982)
  4. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  5. В.Д. Добровольский, В.Г. Литовченко. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1985)
  6. J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Progr. Phys., 53, 1297 (1990)
  7. В.А. Гергель, Г.В. Шпатковская. ЖЭТФ, 102, 640 (1992)
  8. E. Atanassova, A. Paskaleva. Sol. St. Electron., 39, 1033 (1996)
  9. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  10. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
  11. N.J. Chou. J. Electrochem. Soc., 118, 601 (1971)
  12. В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, В.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO-=SUB=-2-=/SUB=---M (Новосибирск, Наука, 1981)
  13. E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
  14. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  15. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  17. R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
  18. S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10, 291 (1967)
  19. I. Lundstrom, C. Svensson. J. Appl. Phys., 43, 5045 (1972)
  20. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 118, 966 (1971)
  21. П. Нагельс. В сб.: Аморфные полупроводники (М., Мир, 1982)
  22. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  23. H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 1255 (1975)
  24. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.