"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния
Санкин В.И.1, Лепнева А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.
  1. W.V. Muench, E. Petterpaul. J. Appl. Phys., 48, 4823 (1977)
  2. I.A. Khan, J.A. Cooper. Proc. ICSCIII-N'97 (Stockholm, 1997) p. 57
  3. L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  4. A. Sibile, J.F. Palmier, H. Wang, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 6, 52 (1990)
  5. H.T. Grahn, K. von Klitzing, K. Ploog, G.H. Doler. Phys. Rev. B, 43, 12 094 (1997)
  6. В.И. Санкин, И.А. Столичнов. ФТП, 31, 489 (1996)
  7. V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 155
  8. В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.