"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния
Санкин В.И.1, Лепнева А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.
  • W.V. Muench, E. Petterpaul. J. Appl. Phys., 48, 4823 (1977)
  • I.A. Khan, J.A. Cooper. Proc. ICSCIII-N'97 (Stockholm, 1997) p. 57
  • L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  • A. Sibile, J.F. Palmier, H. Wang, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 6, 52 (1990)
  • H.T. Grahn, K. von Klitzing, K. Ploog, G.H. Doler. Phys. Rev. B, 43, 12 094 (1997)
  • В.И. Санкин, И.А. Столичнов. ФТП, 31, 489 (1996)
  • V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 155
  • В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.