Влияние интенсивности излучения на спектр краевого поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4
Голик Л.Л.1, Кунькова З.Э.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
В области температур 100-130 K исследовано влияние интенсивности падающего лазерного излучения на спектральные зависимости поглощения циркулярно поляризованного света в монокристаллах CdCr2Se4 в области края поглощения. Обнаруженное сильное изменение формы края связывается с обострением экситонного резонанса вследствие экранирования фотовозбужденными носителями заряда внутренних электрических полей в кристалле.
- В.Г. Веселаго, С.Г. Рудов, М.А. Черников. Письма ЖЭТФ, 40, 181 (1984)
- Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова. Письма ЖЭТФ, 66, 409 (1997)
- В.С. Викторавичюс, Р.А. Гадонас, А.П. Гальдикас, С.И. Гребинский, С.Я. Захаров, В.В. Красаускас, А.С. Пелакаускас. ФТТ, 32, 2938 (1990)
- М.И. Ауслендер, Н.Г. Бебенин. ФТТ, 30, 945 (1988)
- К.М. Голант, В.В. Тугушев, И.М. Юрин. ФТТ, 32, 2100 (1990)
- G. Harbeke, H. Pinch. Phys. Rev. Lett., 17, 1090 (1966)
- Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова, Т.Г. Аминов, В.Т. Калинников. ФТТ, 22, 877 (1980)
- K. Kodama, T. Nimi. Japan. J. Appl. Phys., 19, 307 (1980)
- K. Kodama, S. Doi, T. Matsumura, T. Nimi. Japan. J. Appl. Phys., 19, 317 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук