"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние интенсивности излучения на спектр краевого поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4
Голик Л.Л.1, Кунькова З.Э.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

В области температур 100-130 K исследовано влияние интенсивности падающего лазерного излучения на спектральные зависимости поглощения циркулярно поляризованного света в монокристаллах CdCr2Se4 в области края поглощения. Обнаруженное сильное изменение формы края связывается с обострением экситонного резонанса вследствие экранирования фотовозбужденными носителями заряда внутренних электрических полей в кристалле.
  1. В.Г. Веселаго, С.Г. Рудов, М.А. Черников. Письма ЖЭТФ, 40, 181 (1984)
  2. Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова. Письма ЖЭТФ, 66, 409 (1997)
  3. В.С. Викторавичюс, Р.А. Гадонас, А.П. Гальдикас, С.И. Гребинский, С.Я. Захаров, В.В. Красаускас, А.С. Пелакаускас. ФТТ, 32, 2938 (1990)
  4. М.И. Ауслендер, Н.Г. Бебенин. ФТТ, 30, 945 (1988)
  5. К.М. Голант, В.В. Тугушев, И.М. Юрин. ФТТ, 32, 2100 (1990)
  6. G. Harbeke, H. Pinch. Phys. Rev. Lett., 17, 1090 (1966)
  7. Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова, Т.Г. Аминов, В.Т. Калинников. ФТТ, 22, 877 (1980)
  8. K. Kodama, T. Nimi. Japan. J. Appl. Phys., 19, 307 (1980)
  9. K. Kodama, S. Doi, T. Matsumura, T. Nimi. Japan. J. Appl. Phys., 19, 317 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.