"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние полей случайно расположенных в кристалле полупроводника заряженных центров на электронную структуру нейтральных акцепторов и поляризацию люминесценции при переходах <зона проводимости>--акцептор
Осипов Е.Б.1, Воронов О.В.1, Сорокина Н.О.1, Борисов В.Б.1
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями и другими дефектами, дают дополнительное расщепление уровней акцепторов, которое, в силу хаотичности направления этих полей, приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях одноосной деформации полупроводника. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в работе предлагается модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации полупроводника. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [100] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Амиров, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 421 (1987)
  3. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.