"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Множественное андреевское отражение в гибридных структурах на основе сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs
Веревкин А.А.1, Птицина Н.Г.1, Смирнов К.В.1, Воронов Б.М.1, Гольцман Г.Н.1, Гершензон Е.М.1, Ингвессон К.С.2
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
2Массачусетский университет, МА Амерст, США
Поступила в редакцию: 12 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследована проводимость гибридных микроструктур со сверхпроводниковыми контактами из нитрида ниобия к полупроводнику с двумерным электронным газом в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Особенности поведения проводимости указывают на наличие процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих центрах в нормальной области вблизи границы сверхпроводник--полупроводник.
  1. T.M. Klapwijk. Physica B, 197, 481 (1994)
  2. A. Kastalsky, A.W. Kleinsasser, L.H. Greene, R. Bhat, F.P. Milliken, J.P. Harbison. Phys. Rev. Lett., 67, 3026 (1991); C. Nguyen, H. Kroemer, E.L. Hu. Phys. Rev. Lett., 69, 2847 (1992); H. Takayanagi, T. Akazaki, J. Nitta. Phys. Rev. Lett., 75, 3533 (1995); L.C. Mur, C.J.P.M. Harmans, J.E. Mooij, J.F. Carlin, A. Rudra, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 54, R2327 (1996)
  3. A.M. Marsh, D.A. Williams, H. Ahmed. Phys. Rev. B, 50, 8118 (1994)
  4. A.M. Marsh, D.A. Williams, H. Ahmed. Physica B, 203, 307 (1994)
  5. J.R. Gao, J.P. Heida, B.J. van Wees, T.M. Klapwijk, G. Borghs, C.T. Foxon. Surf. Sci., 305, 470 (1994)
  6. J. Kutchinsky, R. Taboryski, T. Clausen, C.B. Sorensen, A. Kristensen, P.E. Lindelof, J. Bindslev Hansen, C. Schelde Jacobsen, J.L. Skov. Phys. Rev. Lett., 78, 931 (1997); R. Taboryski, T. Clausen, J. Bindslev Hansen, J.L. Skov, J. Kutchinsky, C.B. Sorensen, P.E. Lindelof. Appl. Phys. Lett., 69, 657 (1996)
  7. K.-M.H. Lenssen, M. Matters, C.J.P.M. Harmans, J.E. Mooij, M.R. Leys, W. van Vleuten, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 63, 2079 (1993).!! vadjust !!
  8. Y. Sugiyama, M. Tacano, S. Sakai, S. Kataoka. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-1, 236 (1980); В.И. Барчукова, В.Н. Губанков, Е.Н. Енюшкина, С.А. Ковтонюк, И.Л. Лапитская, М.П. Лисицкий, А.Д. Максимов, В.Г. Мокеров, А.В. Никифоров, С.С. Шмелев. Письма ЖТФ, 21(6), 12 (1995)
  9. A.A. Verevkin, N.G. Ptitsina, K.V. Smirnov, G.N. Gol'tsman, E.M. Gershenzon, K.S. Yngvesson. International Semiconductor Device Research Symposium-1997 (Charlottesvill VA, USA, 1997) p. 163
  10. Б.М. Воронов, Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, Т.О. Губкина, В.Д. Семаш, Л.А. Сейдман. СФХТ, 7, 1097 (1994)
  11. А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 19, 1228 (1964)
  12. B.J. van Wees, P. de Vries, P. Magnee, T.M. Klapwijk. Phys. Rev. Lett., 69, 510 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.