"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа
Пагава Т.А.1, Башелеишвили З.В.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.
  • П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
  • В.И. Кожевников, В.В. Михневич. ФТП, 15, 1598 (1981)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1969)
  • J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys Rev., 138, 555 (1965)
  • А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Т.М. Мещерякова, Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 9, 1201 (1975)
  • Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
  • З.В. Башелеишвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщ. АН ГССР, Физика, 116, 297 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.