"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа
Пагава Т.А.1, Башелеишвили З.В.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.
  1. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
  2. В.И. Кожевников, В.В. Михневич. ФТП, 15, 1598 (1981)
  3. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1969)
  4. J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys Rev., 138, 555 (1965)
  5. А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Т.М. Мещерякова, Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 9, 1201 (1975)
  6. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
  7. З.В. Башелеишвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщ. АН ГССР, Физика, 116, 297 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.