"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов
Барабаненков М.Ю.1, Леонов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Методом DLTS исследовано влияние фотовозбуждения электронной подсистемы полупроводника in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов в n-Si. Образцы n-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами O+2 и N+2 с одинаковой дозой 1011 см-2 и ионами Ar+ с дозой 7· 1010 и 2· 1011 см-2. За исключением последнего случая энергия и дозы ионов выбирались из условия создания приблизительно одинакового количества первично смещенных атомов Si и их распределения по глубине от поверхности мишени. Температура образцов n-Si во время облучения составляла 300 или 600 K. Фотовозбуждение полупроводника проводилось ультрафиолетовым излучением с различной плотностью мощности. Показано, что нерадиационный нагрев образцов при ионной имплантации подавляет образование комплексов радиационных дефектов, в то время как фотовозбуждение n-Si, напротив, усиливает их формирование. Найдено, что воздействие подсветки возрастает с уменьшением массы иона и с увеличением температуры мишени. Установлена зависимость воздействия ультрафиолетовой подсветки на дефектообразование в n-Si от температуры образца при ионной имплантации. Обнаружено, что по мере увеличения интенсивности подсветки концентрация дивакансий в n-Si выходит на насыщение.
  • Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 14, 835 (1988)
  • А.Б. Данилин, Ю.Н. Ерохин, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 15, 1 (1989)
  • A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich. Nucl. Instr. Meth. B, 59/60, 985 (1991)
  • С.Н. Болдырев, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская, О.В. Феклисова, Н.Я. Ярыкин. ФТП, 28, 1826 (1994)
  • S.N. Boldyrev, V.N. Mordkovich, N.M. Omelyanovskaya. Phys. St. Sol. (a), 143, K71 (1994)
  • Yu.N. Erokhin, A.G. Ital'yantsev, A.A. Malinin, V.N. Mordkovich. Rad. Eff. Def. Sol., 128, 187 (1994)
  • A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instr. Meth. B, 69, 268 (1992)
  • K.L. Brower, W. Beezhold. J. Appl. Phys., 43, 3499 (1972)
  • Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.П. Лебедев. ФТП, 7, 2297 (1973)
  • Дж.А. Дэвис, Дж. Денхартог, Л. Эрикссон, Дж. Мейер. В сб.: Легирование полупроводников ионным внедрением, под ред. В.С. Вавилова и В.М. Гусева (М., Мир, 1971) с. 273
  • I.H. Wilson, H.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 38, 8444 (1988)
  • И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 29, 605 (1995)
  • А.И. Баранов, Л.С. Смирнов. ФТП, 7, 2227 (1973)
  • М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 32, 523 (1998)
  • И.А. Аброян, Л.М. Никулина. ФТП, 30, 1893 (1996)
  • Н.Н. Герасименко, Б.А. Зайцев, В.И. Панов, Л.С. Смирнов, Е.Г. Тишковский. ФТП, 7, 1433 (1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.