"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
Берт Н.А.1, Вавилова Л.С.1, Ипатова И.П.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Ситникова А.А.1, Тарасов И.С.1, Щукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии выполнены исследования эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных в области неустойчивости на подложках InP (001) и GaAs (001). Дано обсуждение результатов на основе теории спинодального распада твердых растворов. Экспериментально установлено, что в определенных интервалах температур и составов твердые растворы InGaAsP представляют собой систему напряженных, чередующихся (во взаимно перпердикулярных направлениях [100] и [010]) доменов твердого раствора двух различных составов с разными постоянными решетки. Структура доменов резко выражена у поверхности эпитаксиальной пленки и размывается в глубину к подложке. Полученные данные с большой вероятностью указывают на спинодальный распад твердых растворов InGaAsP в экспериментальных образцах.
  • A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook of Semiconductor, ed. by T.S. Moss, v. 3, ed. by S. Mahajan (Elsevier, 1994) p. 1399
  • G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982); G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
  • J.W. Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1967)
  • A.G. Khachaturyan. Theory of Structural Transformations in Solids (N. Y., John Wiley and Sons, 1983)
  • I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, V.G. Malyshkin, A.Yu. Maslov, E. Anastassakis. Sol. St. Commun., 78, 19 (1991)
  • M. Ilegems, M.B. Panish. J. Phys. Chem. Sol., 35, 409 (1974)
  • И.С. Тарасов, Н.А. Пихтин, А.В. Мурашова, А.В. Лютецкий, А.Ю. Лешко, М.А. Иванов, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников, РКФП'96 (Зеленогорск, 1996) т. 1, c. 40
  • I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, N.I. Katsavets, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov. Abstracts Int. Symposium Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 362
  • I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors ISCS-23 ( St. Petersburg, 1996). (1997) p. 117
  • Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32, 658 (1998)
  • B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5--19 (1982)
  • И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin, J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
  • Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167(3), 552 (1997)
  • Seiji Mukai. J. Appl. Phys., 54(5), 2635 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.