"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs с барьером Шоттки
Божков В.Г.1, Кагадей В.А.1, Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведены исследования влияния обработки атомарным водородом на свойства GaAs и на следующие характеристики контактов Au--GaAs с барьером Шоттки: показатель идеальности вольт-амперной характеристики n, высота барьера varphib и обратное напряжение Vr при токе 10 мкА. При обработке водородом поверхность GaAs была свободной (образцы A-типа), либо защищалась тонким (~50 Angstrem) слоем SiO2 (образцы B-типа). Показано, что для образцов A-типа существует оптимальный режим обработки (температура 150-250oC, длительность порядка 5 мин), при котором значения n и Vr достигают соответственно минимума и максимума. Для образцов B-типа значения n и Vr улучшаются, начиная с минимальных длительностей и температур обработки, и сохраняются, либо улучшаются во всем исследованном интервале температур (100-400oC) и длительностей (1--50 мин). Процессы пассивации примеси при этом протекают в тех и других образцах примерно одинаково.
  1. S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14a, 737 (1985)
  2. Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
  3. J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
  4. R.P.H. Chang, S. Darack. Appl. Phys. Lett., 38, 989 (1981)
  5. J.A. Schaefer, V. Persch, S. Stock, Th. Allinger, A. Goldman. Europhys. Lett., 12, 563 (1990)
  6. Z. Lu, M.T. Schmidt, D. Chen, R.M. Osgood, Jr., W.M. Holber, D.V. Podlesnik, J. Forster. Appl. Phys. Lett., 58, 143 (1991)
  7. N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73, 8146 (1993)
  8. J.I. Pankove, M.A. Lampert, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 32, 439 (1978)
  9. J.I. Pankove, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 34, 156 (1979)
  10. S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
  11. C.H. Seager, D.S. Ginley, J.D. Zook. Appl. Phys. Lett., 36, 831 (1980)
  12. J.I. Hanoka, C.H. Seager, D.J. Sharp, J.K.G. Panitz. Appl. Phyhs. Lett., 42, 618 (1983)
  13. A. Paccagnella. A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  14. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  15. В.В. Аристов, С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов, А.М. Сурма. Микроэлектроника, 24, N 3, 198 (1995)
  16. В.А. Кагадей, О.Е. Троян, Д.И. Проскуровский. Заявка на изобретение N 93026207/07 (025856) от 07.05.93
  17. L.M. Weelels, T. Saitoh, H. Kanbe. Appl. Phys. Lett., 66, 2870 (1995)
  18. S. Balasubramanian, V. Rumar, N. Balasubramanian. Appl. Phys. Lett., 64, 1696 (1994)
  19. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  20. W.C. Dautremont Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, J.C. Nabity, V. Swaminathan, N. Stavola, S.J. Pearton. J. Appl. Phys. Lett., 49, 1098 (1986)
  21. Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.