"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик
Федоренко Я.Г.1, Малинин А.2, Свердлова А.М.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Electron Physics Laboratory, Helsinky University of Technology, Otakaary 7A, FI ESPOO, Finland
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Представлены результаты экспериментального исследования процессов релаксации заряда в структуре металл--диэлектрик--полупроводник с окислами редкоземельных элементов Gd2O3 и Lu2O3 методом релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней, нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник, подключенной к внешней цепи с индуктивностью. На основе анализа результатов релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и изменения конфигурации области управляющих параметров "амплитуда--частота" приложенного напряжения с температурой показано, что генерация нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник определяется свойствами границы раздела диэлектрик--полупроводник, в частности плотностью поверхностных состояний, величинами сечений захвата.
  1. K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jap. J. Appl. Phys., 18, 113 (1979)
  2. D.S. Gusta, M.M. Chandra, V. Kumar. Phys. St. Sol. (a), 80, K209 (1983)
  3. T. Katsube, K. Kakimoto. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1983)
  4. А.А. Лебедев. ФТП, 31, 437 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.