"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик
Федоренко Я.Г.1, Малинин А.2, Свердлова А.М.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Electron Physics Laboratory, Helsinky University of Technology, Otakaary 7A, FI ESPOO, Finland
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Представлены результаты экспериментального исследования процессов релаксации заряда в структуре металл--диэлектрик--полупроводник с окислами редкоземельных элементов Gd2O3 и Lu2O3 методом релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней, нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник, подключенной к внешней цепи с индуктивностью. На основе анализа результатов релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и изменения конфигурации области управляющих параметров "амплитуда--частота" приложенного напряжения с температурой показано, что генерация нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник определяется свойствами границы раздела диэлектрик--полупроводник, в частности плотностью поверхностных состояний, величинами сечений захвата.
  • K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jap. J. Appl. Phys., 18, 113 (1979)
  • D.S. Gusta, M.M. Chandra, V. Kumar. Phys. St. Sol. (a), 80, K209 (1983)
  • T. Katsube, K. Kakimoto. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1983)
  • А.А. Лебедев. ФТП, 31, 437 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.