"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние индуцированных лазерным излучением дефектов на люминесценцию кристаллов InP
Баимбетов Ф.Б.1, Джумамухамбетов Н.Г.1
1Атырауский университет, Атырау, Казахстан
Поступила в редакцию: 29 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведено сравнение экспериментальных данных по люминесценции модифицированных лазерным излучением кристаллов InP с теорией излучательной рекомбинации сильно легированных компенсированных полупроводников. Установлено, что наблюдаемая при 77 K полоса с максимумом 1.35 эВ обусловлена излучательными переходами через хвосты плотности состояний, которые образуются за счет хаотического распределения дефектов и примесей после лазерной обработки. Оценена эффективная глубина хвостов плотности состояний, которая оказалась равной 67 мэВ.
  1. Н.Г. Джумамухамбетов, А.Г. Дмитриев. ФТП, 27, 641 (1993)
  2. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  3. Н.Г. Джумамухамбетов. Тез. VI Межнац. совещ. по радиационной физике твердого тела (МГИЭМ, 1996) с. 118
  4. А.Л. Эфрос. УФН, 111, 451 (1973)
  5. Н.Г. Джумамухамбетов. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 121 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.